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電子陶瓷基板的由來(lái)及應用

瀏覽次數：675次發(fā)布日期：2022-03-09

中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所（SICAS）11月9日在上海舉行了關(guān)于電子陶瓷材料發(fā)展的歷史及由來(lái)的座談會(huì )，內容豐富，主題新穎、前沿，引起了在座人員熱烈的討論。教授表示國外公司已經(jīng)研發(fā)出了新型氮化硅陶瓷基板（Si3N4），它的抗彎強度、斷裂韌性都可以達到氮化鋁的2倍以上，其陶瓷片的導熱系數已經(jīng)高到180W/m-k，具備較低的介電常數和介質(zhì)損耗，可靠的絕緣性能，優(yōu)良的力學(xué)性能，無(wú)毒，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，且氮化鋁與的熱阻相接近。

IGBT模塊是各種逆變電源的心臟，在新能源汽車(chē)、大功率工程機械、智能家居、軌道交通、通訊設備、軍工航天等領(lǐng)域應用廣泛，而高強度、高導熱的氮化鋁基板IGBTM模板的關(guān)鍵性材料之一。

下圖為氮化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷與氧化鋁陶瓷性能對比

在全球半導體技術(shù)朝著(zhù)更大功率、電流、功率的方向發(fā)展，對于基片材料的要求也是越來(lái)越苛刻，而氮化硅陶瓷基片是集高導熱率，高強度于一身的綜合性能的優(yōu)秀基板材料，氮化硅陶瓷基板必將是未來(lái)半導體器件陶瓷基片的發(fā)展趨勢，為第三代半導體的發(fā)展提供堅實(shí)的基礎。

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